良率提升和預測：
良率提升和產品預測方案是通過數值物理仿真、智能試驗設計(DOE）、公差分析、優化設計以及歷史信息管理等方法，發現和解決生產過程中各種影響良率的因素；同時獲取制造參數、元件物理機理和性能浮動三者之間的關聯；尤為重要的是，關乎良率提升的數據積累和梳理可以提升對產品性能極限的預測能力。本方案可以協助客戶加快制造流程和生產設備的改進，節省良率提升和新產品研制的時間，可廣泛運用于各類半導體元器件的研制環節。
本方案涉及的產品類型包含不限于：
- 鰭式場效應晶體管(FINFET)
- 全環柵晶體管（GAAFET）
- 高電子遷移率晶體管（HEMT）
- 碳化硅(SiC)晶體管
- 邊發射激光器(EEL） >面發射激光器(VCSEL)
- 無源和有源硅光子(Silicon Photonics)器件
- 互補金屬氧化物半導體圖像傳感器（CIS）
- 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
- 發光二極管(LED)
物理機理剖析：
物理機理剖析是通過數值物理仿真，計算出器件內部各個物理參量變化與其光電特性的對應關系，分析出器件光電特性變化的物理機理，這不僅能夠認清器件的物理本質，而且還能夠為改善器件性能，提高產品質量提供優化和創新思路，也是解決實際問題，提高產品良率的根本途徑。本方案可協助用戶快速分析器件不良性能產生的物理原因，并為用戶提供相應的解決方案，有助于用戶產品良率和研發效率的提升，以及生產成本的降低。
本方案涉及物理機理分析包含但不限于：
- 缺陷態分布和動力學
- 極化電荷及效應
- 電場相關遷移率模型分析
- 離子注入分布及效應=
- 載流子輸運及濃度分布
- 能帶分析
- 高頻交流小信號分析
- 帶內及帶間量子隧穿
- 高階KP理論分析
- 激子及多體效應
- 價帶混合效應
- TFT 遲滯及異常突起
- 電流崩塌效應
- 像素串擾
- 應力應變
- Crowding效應
- 側壁損傷
- 可靠性分析
能力建設：
能力建設是為用戶相關人員提供專業技術培訓，包括半導體物理、器件物理、數值算法、軟件操作和使用等各個方面，可以根據用戶相關人員的能力和知識水平設計培訓方案，使其在短時間內提高專業知識水平，熟練掌握軟件產品的使用，并能夠進行仿真結果的分析和器件結構的優化設計。本方案可幫助用戶進行大規模人才培養，快速提高員工專業技術水平，對企業員工整體素質的提升和企業競爭力的增強具有重要作用。
本方案能力建設涉及但不限于：
- 半導體理論水平
- 產品數據系統化
- 器件優化與設計
- 研發能力
- 創新力
- 機理分析
- 數值算法
定制化軟件開發：
定制化軟件是為用戶開發出具有一定先進性的專用軟件產品。定制化過程主要包括機理研究、數值算法、界面功能和軟件測試等方面。定制化軟件可以是針對某一個物理現象或實際問題，也可以是應用某一領域的綜合仿真軟件。定制化軟件具有一定的專用性，在一定期限內僅提供給定制用戶使用，這有助于用戶在相關產品研發、良率提高等方面處于領先地位，對提高用戶產品質量和市場占有率具有重要作用。
本方案涉及但不限于：
- 材料參數計算
- Compact model參數提取
- API
- 工藝控制和分析
- 質量檢測
- 工藝與性能數據庫建設
- 人工智能與器件研發
- 設備控制