濕法刻蝕 濕法刻蝕 案例介紹 產品介紹MOSFETGaN HEMTGaN LEDFP/DFB濕法刻蝕幾何刻蝕 原結構 刻蝕t=0.5 min v=1.0μm/min 刻蝕t=0.5 min v=1.5μm/min 刻蝕t=0.5 min v=2.0μm/min 刻蝕t=0.5 min v=2.5μm/min 跳回主導航
